NTH4L022N120M3S碳化矽(SiC) MOSFET
onsemi NTH4L022N120M3S M3S碳化矽(SiC) MOSFET是具有1200V M3S平面SiC MOSFET的系列產品。onsemi NTH4L022N120M3S針對快速切換應用進行了優化。平面技術可透過負柵極電壓驅動實現,並在柵極上關閉尖峰。這些MOSFET在採用18V柵極驅動時具有最佳性能,同時還可充分利用15V柵極驅動。
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國際貿易術語:貨交承運人(裝運地點) 關稅、海關手續費和貨物服務稅在交貨時收取。 對於超過 HK$330 (HKD) 的訂單免運費 |
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onsemi NTH4L022N120M3S M3S碳化矽(SiC) MOSFET是具有1200V M3S平面SiC MOSFET的系列產品。onsemi NTH4L022N120M3S針對快速切換應用進行了優化。平面技術可透過負柵極電壓驅動實現,並在柵極上關閉尖峰。這些MOSFET在採用18V柵極驅動時具有最佳性能,同時還可充分利用15V柵極驅動。