NTH4L022N120M3S碳化矽(SiC) MOSFET

onsemi NTH4L022N120M3S M3S碳化矽(SiC) MOSFET是具有1200V M3S平面SiC MOSFET的系列產品。onsemi NTH4L022N120M3S針對快速切換應用進行了優化。平面技術可透過負柵極電壓驅動實現,並在柵極上關閉尖峰。這些MOSFET在採用18V柵極驅動時具有最佳性能,同時還可充分利用15V柵極驅動。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱

onsemi 碳化矽MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13 224庫存量
450在途量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1 1,634庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC