3300V Single Switch IGBT Modules

Infineon Technologies 3300V Single Switch IGBT Modules offer high DC stability and are an excellent solution for traction and industry applications. The FZ1000R33HE3 is a 1000A, 130mm single-switch IGBT module, and the FZ1500R33HL3 is a 1500A, 190mm single-switch IGBT module.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 3300 V, 825 A single switch IGBT module
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.4 V 825 A 400 nA 2.4 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ1500R33HL3
Infineon Technologies IGBT 模組 N-CH 3.3KV 1.5KA
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.4 V 1.5 kA 400 nA 2.4 MW IHVB190 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IHV IHM T
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1

Tray
Infineon Technologies FZ1600R33HE4BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 3300 V, 1600 A single switch IGBT module
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.4 V 1.6 kA 400 nA 3.6 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2400R33HE4BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 3300 V, 2400 A single switch IGBT module
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.4 V 2.4 kA 400 nA 5.4 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ1800R45HL4BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 4500 V, 1800 A single switch IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Single 4.5 kV 2.35 V 1.8 kA 400 nA 4 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ1000R33HE3
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 3300V 1000A
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2
倍數： 2

IGBT Modules Single 3.3 kV 2.55 V 1 kA 400 nA - 40 C + 150 C Tray