碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體

英飛凌碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體為能滿足更智慧節能的發電、電力輸送及用電需求的產品組合。CoolSiC產品組合能滿足客戶需求,幫助其縮小系統尺寸,降低中至高功率系統的成本,同時滿足最高的品質標準,延長系統使用壽命,可靠度大受保證。客戶一方面可透過CoolSiC達到最嚴格的效率目標,另一方面則能降低操作系統的成本。產品組合中包括CoolSiC肖特基二極體、CoolSiC混合式模組、CoolSiC MOSFET模組和獨立式裝置,以及用於驅動碳化矽裝置的EiceDRIVER™閘極驅動器IC。

結果: 8
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 444庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 222庫存量
720預期30/7/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 332庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 95庫存量
240預期24/2/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 200庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 151庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
480預期16/6/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC