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STMicroelectronics 碳化矽MOSFET

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結果: 9

已用篩選:

圖片標籤選項製造商 = STMicroelectronics

安裝風格

封裝/外殼

晶體管極性

通道數

Vds - 漏-源擊穿電壓

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

Vgs - 閘極-源極電壓

Vgs th - 門源門限電壓

Qg - 閘極充電

最低工作溫度

最高工作溫度

Pd - 功率消耗

通道模式

資格

重置所有

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庫存量

正常庫存

有效

新產品

符合 RoHS

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零件編號

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: HK$170.48
640庫存量
新產品

製造商元件編號
SCT012W90G3-4AG

Mouser 元件編號
511-SCT012W90G3-4AG

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

了解更多

規格書

640庫存量

HK$170.48

HK$111.30

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: HK$148.54
485庫存量
新產品

製造商元件編號
SCT025W120G3AG

Mouser 元件編號
511-SCT025W120G3AG

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

了解更多

規格書

485庫存量

HK$148.54

HK$108.67

HK$95.43

報價

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: HK$197.94
600預期21/9/2026

製造商元件編號
SCT015W120G3-4AG

Mouser 元件編號
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

了解更多

規格書

600預期21/9/2026

HK$197.94

HK$134.48

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: HK$94.53
100在途量
新產品

製造商元件編號
SCT040W120G3-4

Mouser 元件編號
511-SCT040W120G3-4

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

了解更多

規格書

100在途量

HK$94.53

HK$57.38

HK$52.85

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: HK$152.56
無庫存前置作業時間 17 週
新產品

製造商元件編號
SCT019W120G3-4AG

Mouser 元件編號
511-SCT019W120G3-4AG

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

規格書

無庫存前置作業時間 17 週

HK$152.56

HK$122.15

HK$105.63

HK$105.38

檢視

最少： 600
倍數： 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: HK$92.39
無庫存前置作業時間 17 週
新產品

製造商元件編號
SCT025W120G3-4

Mouser 元件編號
511-SCT025W120G3-4

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

規格書

無庫存前置作業時間 17 週

HK$92.39

檢視

最少： 600
倍數： 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: HK$89.93
無庫存前置作業時間 17 週
新產品

製造商元件編號
SCT070W120G3-4

Mouser 元件編號
511-SCT070W120G3-4

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 17 週

HK$89.93

HK$53.68

HK$48.74

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
600: HK$56.39
無庫存前置作業時間 17 週
新產品

製造商元件編號
SCT070W120G3AG

Mouser 元件編號
511-SCT070W120G3AG

新產品

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 17 週

HK$56.39

最少： 600
倍數： 600

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: HK$149.69
無庫存前置作業時間 32 週
NRND

製造商元件編號
SCTWA40N120G2V

Mouser 元件編號
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 32 週

HK$149.69

HK$119.85

HK$103.65

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

STMicroelectronics 碳化矽MOSFET

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