Tube 離散半導體模組

結果: 60
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
類型
技術
Vf - 順向電壓
Vr - 反向電壓
Vgs - 閘極-源極電壓
安裝風格
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
IXYS 離散半導體模組 Bipolar Module-Bridge Rectifier SMPD-B
規格書
14庫存量
最少： 1
倍數： 1

High Efficiency Standard Rectifier Si 1.45 V 800 V Screw Mount SMPD-9 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APTM100H45SCTG
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-7-SBD-SP4
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules Si Tube
onsemi 離散半導體模組 SIC A1HPM 1200 V
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Modules Power Module SiC 3.8 V - 10 V, + 25 V Through Hole - 40 C + 175 C NVVR26A120M1WSS Tube
SemiQ 離散半導體模組 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
規格書
599庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules COPACK Power Module SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 175 C Tube
onsemi 離散半導體模組 APM16-CDA SF3 650V 51MOHM
規格書
72庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC Diode Modules SiC FAM65CR51ADZ1 Tube
MEAN WELL 離散半導體模組 5W 36-72Vin +/-15V +/-16.7 - +/-167mA
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
onsemi 離散半導體模組 APM16-CAA SF3 650V 51MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
規格書
71庫存量
最少： 1
倍數： 1

Half Bridge Modules Half Bridge Si FAM65HR51DS1 Tube
Microchip Technology APTM100A13SCG
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-7-SBD-SP6C
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-IGBT-TFS-SBD-SP1F
規格書
8庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules Trench Si 650 V Screw Mount - 60 C + 200 C Tube
Infineon Technologies 離散半導體模組 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
規格書
120在途量
最少： 1
倍數： 1

Modules 1 N-Channel SiC 5.15 V - 5 V, + 20 V Press Fit HybridPACK - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT2X30D40J
Microchip Technology 離散半導體模組 FRED D 400 V 300 A Dual Anti-Parallel SOT-227
規格書
6預期30/3/2026
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SBD 15 A Combi SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 20
倍數： 10
MOSFET-SiC SBD Modules SiC - 10 V, + 23 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 175 C Tube
SemiQ 離散半導體模組 SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

MOSFET-SiC SBD Modules Silicon Carbide (SiC) Module SiC 1.49 V - 5 V, + 10 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 175 C GCMS Tube
SanRex 離散半導體模組 離散半導體模組 400V 200A
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si DBA Tube
SanRex 離散半導體模組 離散半導體模組 600V 200A
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si DBA Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-8-SBD-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 26
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 FRED D 300 V 100 A Dual Parallel SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 FRED D 1200 V 600 A Dual Anti-Parallel SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 FRED D 200 V 610 A Dual Parallel SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 25
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules MOSFET / SBD Si - 30 V, + 30 V Screw Mount - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-8-SBD-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 28
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules MOSFET / SBD Si - 30 V, + 30 V Screw Mount - 40 C + 150 C Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 6
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules MOSFET / SBD Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 7
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules MOSFET / SBD Si Tube
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 7
倍數： 1

MOSFET-SBD Modules MOSFET / SBD Si Tube