FF3MR20W3M1HH11BPSA1

Name: Infineon FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF3MR20W3M1HH11B
Price: 4199.1 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-FF3MR20W3M1HH11B

製造商編號：

FF3MR20W3M1HH11BPSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

離散半導體模組 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

FF3MR20W3M1HH11BPSA1 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$4,199.10	HK$4,199.10
	HK$3,738.46	HK$29,907.68

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	離散半導體模組
RoHS:
產品:	EasyPACK Modules
技術:	SiC
Vf - 順向電壓:	4.4 V
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 23 V
安裝風格:	Press Fit
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	EasyPACK
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	67 ns
Id - C連續漏極電流:	275 A
Pd - 功率消耗 :	20 mW
產品類型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻:	4.1 mOhms
上升時間:	44 ns
原廠包裝數量:	8
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	CoolSiC
晶體管極性:	N-Channel
標準斷開延遲時間:	142 ns
標準開啟延遲時間:	86 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓:	2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.15 V
零件號別名:	FF3MR20W3M1H_H11 SP006049702

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FF3MR20W3M1HH11BPSA1 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules feature PressFIT contact technology and an integrated Negative Temperature Coefficient (NTC) temperature sensor. These modules operate at a 1200V drain-source voltage, feature a low inductive design, low switching losses, and high current density. The EasyPACK™ modules offer rugged mounting due to integrated mounting clamps and are packaged with a CTI >600. Applications include high-frequency switching devices, DC/DC converters, and DC chargers for EVs. With the Easy 2C Series, Infineon enhances high-power designs using SiC G2 technology and advanced .XT features. The .XT technology provides enhanced ruggedness and extended operating temperatures, while the second-generation SiC MOSFET technology offers improved gate oxide reliability and reduced on-resistance.