碳化矽(SiC) MOSFET

與傳統的矽(Si)功率MOSFET相比，Microsemi/Microchip碳化矽(SiC) MOSFET具有良好的動態及熱性能。這些MOSFET具有低電容、低閘極電荷、快速開關速度及良好的高雪崩耐受性。碳化矽MOSFET能夠在175°C的高結溫下穩定工作。這些MOSFET提供高效率及低開關損耗。這些碳化矽MOSFET無需任何續流二極體，可降低系統成本。典型應用包括智能電網輸配電、感應加熱及焊接、供電及配電。

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
封裝
Microchip Technology MOSFET模組 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
規格書
33庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 100 mOhms - 10 V, + 25 V - 55 C + 175 C 200 W Tube
Microchip Technology MOSFET模組 MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
規格書
79庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 84 A 31 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V - 55 C + 175 C 321 W Tube
Microchip Technology MOSFET模組 MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 5 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V - 55 C + 175 C 208 W Tube