650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
規格書
1,441庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 840 A 6.3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
規格書
1,495庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247AD-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.5 V 720 A 1.16 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
規格書
1,500庫存量
最少： 1
倍數： 1

Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode
規格書
1,500庫存量
最少： 1
倍數： 1

Tube