STMicroelectronics MOSFET

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 400庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 48庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 62 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 93 nC - 55 C + 150 C 358 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 710 V 58 A 37 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube