STW75N60M6-4

STMicroelectronics
511-STW75N60M6-4
STW75N60M6-4

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

供貨情況

庫存:
0

您仍可購買此商品作為延期交貨訂單。

工廠前置作業時間:
16 週 工廠預計生產時間。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$91.24 HK$91.24
HK$63.79 HK$637.90
HK$47.84 HK$4,784.00
HK$43.81 HK$26,286.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
600 V
72 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
106 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
產品類型: MOSFETs
系列: Mdmesh M6
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N Channel
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.