Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Alliance Memory DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
規格書
263庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M16MSA-6 Tray
Alliance Memory DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
規格書
182庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C8M16MSA-6 Tray
Alliance Memory DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M16MSA-6 Reel
Alliance Memory DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

SDRAM Mobile 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C8M16MSA-6 Reel
Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 256M, 8MX 32, 1.8V, 90 BALL, BGA, 8 X 32MM, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B DIE, T&R
規格書
暫無庫存
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000
SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel