IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM

ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. ISSI IS43R86400D 512Mb DDR SDRAM features programmable burst length, burst sequence, and CAS latency, enabling further advantages.

結果: 16
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
33庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 10

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 108
倍數： 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel