DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是革新性和先導性技術,允許應用在時鐘訊號的上升和下降邊緣傳送資料。這可使帶寬翻倍,並改善SDR SDRAM性能。為實現此功能,Micron採用2n-prefetch架構,其中內部資料匯流排是外部資料匯流排大小的兩倍,因此每個時鐘週期內資料擷取可進行兩次。

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT 1,965庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 8 60/108FBGA 1 CT 1,368庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 256Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT 1,368庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray