S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
系列
存儲容量
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
有源讀取電流 - 最大
接口類型
最高時鐘頻率
組織
數據匯流排寬度
計時類型
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝
Infineon Technologies NOR快閃 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 660
倍數： 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR快閃 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
捲: 1,600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel