W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4

Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4在命令/位址 (CA) 匯流排上提供單晶片封裝 (SDP) 或雙晶片封裝 (DDP) 以及2或4時脈架構。因此LPDDR4可運用CA匯流排上的2或4時脈架構來減少系統中的輸入腳位數。6位元CA匯流排包含命令、位址和Bank資訊。每個命令使用1、2或4時脈週期,在此期間命令資訊在時脈正緣傳輸。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Winbond DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C-105C 130庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 130

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C-105C 63庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 63

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray