低功耗HyperRAM®

Winbond低功耗HyperRAM®是具有高速SDRAM裝置的流動DRAM,內部配置為8個儲蓄位記憶體,並在指令/地址(CA)匯流排上使用雙倍數據傳輸率(DDR)架構。此HyperRAM具有腳位數少、功耗低、易於控制的特性,可改善終端裝置的效能。新的物聯網邊緣裝置和人機介面裝置要求在尺寸、功耗和性能方面有新的功能。這些HyperRAM記憶體裝置提供新的技術解決方案,可應對新的物聯網邊緣裝置和人機介面裝置的快速發展。這些HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下提供45mW功率,與SDRAM的待機模式有顯著不同。HyperRAM支援HyperBus介面,是應對汽車電子、工業4.0及智慧型家居應用快速發展的解決方案。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V 480庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 1,800庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100
: 2,000

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape