QspiNAND Flash Memory

Winbond QspiNAND Flash Memory is high-performance, low-power memory built with Single-Level Cell (SLC) memory technology and implementing 1-bit Error Correction Code (ECC) on all read and write operations. The integrated ECC detects and corrects errors and enables contiguous good memory (bad block management). This feature offloads these functions from an external controller. The QspiNAND Flash Memory also supports Executive-in-Place (XiP) functionality, in which an SoC or processor executes application code directly from the external flash memory without shadowing it to DRAM.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 系列 存儲容量 接口類型 組織 計時類型 數據匯流排寬度 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Winbond NAND快閃 1G-bit Serial NAND flash, 3V 462庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 462

SMD/SMT TFBGA-24 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray

Winbond NAND快閃 1G-bit Serial NAND flash, 3V 1,210庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,188

SMD/SMT SOIC-16 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND快閃 4G-bit Serial NAND flash, 3V 1,597庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,575

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND快閃 512Mb Serial NAND flash, 3V 3,464庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 3,402

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND快閃 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V 106庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 44

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube