MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 接口類型 最高時鐘頻率 組織 封裝/外殼 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 資格 封裝

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C) 無庫存前置作業時間 22 週
最少: 500
倍數: 500
: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?) 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C) 無庫存前置作業時間 22 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C) 無庫存前置作業時間 22 週
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube