IS37SM Flash Memory Devices

ISSI IS37SM Flash Memory Devices are 1Gb/2Gb devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These SLC SPI-NAND memory devices provide an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS37SM Flash memory devices feature Single-Level Cell (SLC) technology, user-selectable internal 8-bit ECC, and first page auto-load on power up. These devices include ten pages of One-Time Programmable (OTP) Flash memory area and offer 10 years of data retention. The IS37SM Flash memory devices are ideal for systems that require a minimum pin count.

結果: 20
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 系列 存儲容量 接口類型 組織 計時類型 數據匯流排寬度 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 192庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 4

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 149庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 25

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND快閃 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray 108庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 9

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND快閃 1G 3.3V 104MHz Serial NAND快閃 3,620庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 934

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
480在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND快閃 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND快閃 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 480
倍數: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C