CY14V101 1-Mb四倍SPI nvSRAM

Cypress Semiconductor CY14V101 1-Mbit (128K × 8)四倍SPI nvSRAM融合1-Mbit nvSRAM與QPI介面。 QPI透過採用具體操作碼，可實現一倍（一個I/O通道用於一位元每時鐘週期）、雙倍（兩個I/O通道用於雙位元每時鐘週期）或四倍（四個I/O通道用於四位元每時鐘週期）方式讀寫記憶體。 記憶體被整理為128Kbytes，每個均包含SRAM和非揮發性SONOS FLASH量子阱細胞。 SRAM提供無限讀寫週期，非揮發性細胞提供資料儲存。 資料在關機時自動從SRAM傳送至非揮發性細胞（儲存操作）。 開機時，資料從非揮發性細胞被儲存至SRAM（調用操作）。 使用者亦可透過SPI指示啟動「儲存」和「調用」操作。
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結果: 3
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 封裝/外殼
接口類型
存儲容量
組織
數據匯流排寬度
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
運作供電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝

Infineon Technologies NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
規格書
246庫存量
最少： 1
倍數： 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 33 mA - 40 C + 85 C CY14V101 Tube

Infineon Technologies NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
規格書
133庫存量
最少： 1
倍數： 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 33 mA - 40 C + 85 C CY14V101 Tube

Infineon Technologies NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 33 mA - 40 C + 105 C CY14V101 Tube