RN汽車用內建偏壓電阻器電晶體

Toshiba RN汽車用內建偏壓電阻器電晶體 (BRT) 符合AEC-Q101標準,並針對切換、逆變器電路、介面連接和驅動器電路應用最佳化。偏壓電阻器為整合式設計,可減少所需的外部零件數量,同時縮小系統尺寸並省下組裝時間。Toshiba RN汽車偏壓電阻器BRT提供廣泛的電阻範圍,適用於各種電路設計。

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 42,180庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37,637庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35,170庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 9,284庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,560庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2,531庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,980庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5,558庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,998庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,985庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,900庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2,730庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,985庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5,644庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4,724庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,700庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,772庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5,762庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba ESD 保護二極體 / TVS 二極體 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 32,535庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5,961庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba ESD 保護二極體 / TVS 二極體 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 1,515庫存量
6,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba ESD 保護二極體 / TVS 二極體 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 9,256庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6,045庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11,246庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000