GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

結果: 33
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 700庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt 21庫存量
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 143庫存量
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
30庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 93庫存量
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
17庫存量
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt 50庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 394庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 1,119庫存量
480在途量
最少: 1
倍數: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 3,326庫存量
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 388庫存量
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 183庫存量
400預期18/5/2026
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 33庫存量
100預期6/8/2026
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt 375庫存量
250預期9/4/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 364庫存量
250預期27/4/2026
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
10庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20庫存量
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 5庫存量
100預期3/4/2026
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
748預期16/3/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt 前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
無庫存前置作業時間 26 週
最少: 10
倍數: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 25
倍數: 25

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C