NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝

onsemi IGBT IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
規格書
1,141庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi IGBT IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
規格書
3庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube