NGTB25N120FL3WG

onsemi
863-NGTB25N120FL3WG
NGTB25N120FL3WG

製造商：

說明：
IGBT IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 3

庫存：
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工廠前置作業時間：
12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$62.39 HK$62.39
HK$36.17 HK$361.70
HK$31.56 HK$3,787.20
HK$26.30 HK$14,202.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
50 A
349 W
- 55 C
+ 175 C
NGTB25N120FL3
Tube
品牌: onsemi
柵射極漏電電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
每件重量: 4.083 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

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