氮化鎵場效應管 – Mouser 香港

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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結果: 31

已用篩選:

安裝風格

封裝/外殼

晶體管極性

通道數

Vds - 漏-源擊穿電壓

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

Vgs - 閘極-源極電壓

Vgs th - 門源門限電壓

Qg - 閘極充電

最低工作溫度

最高工作溫度

Pd - 功率消耗

通道模式

重置所有

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庫存量

正常庫存

有效

新產品

符合 RoHS

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零件編號

氮化鎵場效應管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

TP65B110HRU-TR
Renesas Electronics
1: HK$60.01
104庫存量
新產品

製造商元件編號
TP65B110HRU-TR

Mouser 元件編號
227-TP65B110HRU-TR

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

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規格書

104庫存量

帶狀裁切

HK$60.01

HK$42.42

捲

HK$35.26

HK$31.40

HK$27.95

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 100

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP65H480G4JSG-TR
Renesas Electronics
1: HK$16.69
1,675庫存量

製造商元件編號
TP65H480G4JSG-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H480G4JSG-TR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

了解更多

規格書

1,675庫存量

帶狀裁切

HK$16.69

HK$9.78

HK$7.22

HK$5.74

捲

HK$4.52

檢視

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

560 mOhms

- 18 V, + 18 V

2.8 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

13.2 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL

TP65H030G4PQS-TR
Renesas Electronics
1: HK$81.13
376庫存量
新產品

製造商元件編號
TP65H030G4PQS-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PQS-TR

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL

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規格書

376庫存量

帶狀裁切

HK$81.13

HK$55.98

HK$37.32

捲

HK$37.24

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-10

N-Channel

1 Channel

650 V

55.7 A

41 mOhms

4.8 V

24.5 nC

- 55C

+ 150 C

192 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

TP65H030G4PRS-TR
Renesas Electronics
1: HK$81.79
1,316庫存量
新產品

製造商元件編號
TP65H030G4PRS-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PRS-TR

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

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規格書

1,316庫存量

帶狀裁切

HK$81.79

HK$56.39

HK$46.03

捲

HK$37.57

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 1,300

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

55.7 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

TP65H030G4PWS
Renesas Electronics
1: HK$82.94
1,439庫存量
新產品

製造商元件編號
TP65H030G4PWS

Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PWS

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

了解更多

規格書

1,439庫存量

HK$82.94

HK$49.57

HK$40.20

HK$38.63

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55.7 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in TO220

TP65H100G4PS
Renesas Electronics
1: HK$47.10
760庫存量
新產品

製造商元件編號
TP65H100G4PS

Mouser 元件編號
227-TP65H100G4PS

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in TO220

規格書

760庫存量

帶狀裁切

HK$47.10

HK$29.92

HK$23.18

捲

HK$19.97

最少： 1
倍數： 1

: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

650 V

18.9 A

110 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.65 V

14.4 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

TP65H050G4YS
Renesas Electronics
1: HK$80.31
581庫存量

製造商元件編號
TP65H050G4YS

Mouser 元件編號
227-TP65H050G4YS

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

了解更多

規格書

581庫存量

HK$80.31

HK$55.24

HK$38.14

HK$36.66

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSG-TR
Renesas Electronics
1: HK$65.35
2,662庫存量

製造商元件編號
TP65H070G4LSG-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSG-TR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

了解更多

規格書

2,662庫存量

帶狀裁切

HK$65.35

HK$44.47

HK$34.28

捲

HK$27.95

最少： 1
倍數： 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSGB-TR
Renesas Electronics
1: HK$64.28
2,446庫存量

製造商元件編號
TP65H070G4LSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSGBTR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

了解更多

規格書

2,446庫存量

帶狀裁切

HK$64.28

HK$43.65

HK$33.46

捲

HK$27.29

最少： 1
倍數： 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TO220

TP65H070G4PS
Renesas Electronics
1: HK$61.73
1,143庫存量

製造商元件編號
TP65H070G4PS

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4PS

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TO220

了解更多

規格書

1,143庫存量

帶狀裁切

HK$61.73

HK$33.29

HK$30.58

HK$25.89

捲

HK$25.89

最少： 1
倍數： 1

: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.7 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

TP65H070G4RS-TR
Renesas Electronics
1: HK$65.51
1,670庫存量

製造商元件編號
TP65H070G4RS-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

了解更多

規格書

1,670庫存量

帶狀裁切

HK$65.51

HK$44.55

HK$34.36

捲

HK$28.03

最少： 1
倍數： 1

: 1,300

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

85 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP65H480G4JSGB-TR
Renesas Electronics
1: HK$16.69
3,769庫存量

製造商元件編號
TP65H480G4JSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H480G4JSGBTR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

了解更多

規格書

3,769庫存量

帶狀裁切

HK$16.69

HK$10.69

HK$7.23

HK$5.74

檢視

捲

HK$4.41

最少： 1
倍數： 1

: 4,000

SMD/SMT

QFN-7

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

560 mOhms

- 10 V, + 10 V

2.8 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

13.2 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220

TP65H150G4PS
Renesas Electronics
1: HK$37.65
685庫存量

製造商元件編號
TP65H150G4PS

Mouser 元件編號
227-TP65H150G4PS

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220

了解更多

規格書

685庫存量

HK$37.65

HK$19.40

HK$17.67

HK$14.55

檢視

最少： 1
倍數： 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L

TP65H035G4YS
Renesas Electronics
1,200: HK$64.94
無庫存前置作業時間 26 週
新產品

製造商元件編號
TP65H035G4YS

Mouser 元件編號
227-TP65H035G4YS

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 26 週

HK$64.94

最少： 1,200
倍數： 1,200

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46.5 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.6 V

42.7 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL

TP65H050G4QS-TR
Renesas Electronics
2,000: HK$34.69
無庫存前置作業時間 16 週

製造商元件編號
TP65H050G4QS-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H050G4QS-TR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 16 週

捲

HK$34.69

最少： 2,000
倍數： 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

60 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSGBEA-TR
Renesas Electronics
3,000: HK$30.41
無庫存前置作業時間 16 週
新產品

製造商元件編號
TP65H070G4LSGBEA-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSGBEA

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

規格書

無庫存前置作業時間 16 週

捲

HK$30.41

最少： 3,000
倍數： 3,000

: 3,000

PQFN-8

650 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H070G4LSGEA-TR
Renesas Electronics
3,000: HK$26.47
無庫存前置作業時間 16 週
新產品

製造商元件編號
TP65H070G4LSGEA-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4LSGEAT

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

規格書

無庫存前置作業時間 16 週

捲

HK$26.47

最少： 3,000
倍數： 3,000

: 3,000

PQFN-8

650 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL

TP65H070G4QS-TR
Renesas Electronics
2,000: HK$24.66
無庫存前置作業時間 16 週

製造商元件編號
TP65H070G4QS-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H070G4QS-TR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 16 週

捲

HK$24.66

最少： 2,000
倍數： 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

60 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.8 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP65H100G4LSGB-TR
Renesas Electronics
3,000: HK$17.02
無庫存前置作業時間 14 週

製造商元件編號
TP65H100G4LSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP65H100G4LSGBTR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

捲

HK$17.02

最少： 3,000
倍數： 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

650 V

18.9 A

110 mOhms

- 20 V, + 20 V

4.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

SuperGaN

氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP70H150G4LSG-TR
Renesas Electronics
3,000: HK$94.12
無庫存前置作業時間 14 週
新產品

製造商元件編號
TP70H150G4LSG-TR

Mouser 元件編號
227-TP70H150G4LSG-TR

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

捲

HK$94.12

最少： 3,000
倍數： 3,000

: 3,000

700 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP70H150G4LSGB-TR
Renesas Electronics
3,000: HK$11.10
無庫存前置作業時間 14 週

製造商元件編號
TP70H150G4LSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP70H150G4LSGBTR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

捲

HK$11.10

HK$10.93

最少： 3,000
倍數： 3,000

: 3,000

700 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP70H300G4JSGB-TR
Renesas Electronics
5,000: HK$22.03
無庫存前置作業時間 14 週

製造商元件編號
TP70H300G4JSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP70H300G4JSGBTR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

捲

HK$22.03

最少： 5,000
倍數： 5,000

: 5,000

700 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN

TP70H300G4LSGB-TR
Renesas Electronics
1: HK$32.06
無庫存前置作業時間 14 週
新產品

製造商元件編號
TP70H300G4LSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP70H300G4LSGBTR

新產品

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

帶狀裁切

HK$32.06

HK$21.78

HK$16.60

HK$14.88

HK$13.56

捲

HK$11.51

可選用MouseReel

最少： 1
倍數： 1

: 3,000

700 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP70H480G4JSG-TR
Renesas Electronics
5,000: HK$4.85
無庫存前置作業時間 14 週

製造商元件編號
TP70H480G4JSG-TR

Mouser 元件編號
227-TP70H480G4JSG-TR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

捲

HK$4.85

HK$4.78

報價

最少： 5,000
倍數： 5,000

: 5,000

700 V

SuperGaN

氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

TP70H480G4JSGB-TR
Renesas Electronics
5,000: HK$29.02
無庫存前置作業時間 14 週

製造商元件編號
TP70H480G4JSGB-TR

Mouser 元件編號
227-TP70H480G4JSGBTR

Renesas Electronics

氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN

了解更多

規格書

無庫存前置作業時間 14 週

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