寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比,安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術,可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括:提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

半導體的類型

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結果: 52
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS

onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V 10A AUTO SIC SBD 3,484庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 閘極驅動器 SIC MOSFET DRIVER 11,603庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000


onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC SBD 40A 125庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 10A SIC SBD G EN1.5 1,443庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800


onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V 20A AUTO SIC SBD 311庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V 20A AUTO SIC SBD 348庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 6A SIC SBD 3,133庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 12A SIC SBD 804庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC SBD 20A 205庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 480庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 10A SIC SBD GEN1.5 2,121庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO263 SBD 10A 1 200V 3,633庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 10A SIC SBD 2,597庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO220 SBD 8A 650V 1,316庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V 20A AUTO SIC SBD 1,062庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800


onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V 10A SIC SBD 383庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 30A SIC SBD 620庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V 706庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO263 SBD 20A 1 200V 1,135庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

onsemi 碳化矽肖特基二極管 SiC Diode 650V 4A 2,602庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000


onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 30A SIC SBD 867庫存量
最少: 1
倍數: 1

onsemi 碳化矽肖特基二極管 SIC TO220 SBD 10A 650V 757庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1,182庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽肖特基二極管 650V 10A SIC SBD G EN1.5 937庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

onsemi 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC SBD 15A 175庫存量
最少: 1
倍數: 1