碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體

英飛凌碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體為能滿足更智慧節能的發電、電力輸送及用電需求的產品組合。CoolSiC產品組合能滿足客戶需求,幫助其縮小系統尺寸,降低中至高功率系統的成本,同時滿足最高的品質標準,延長系統使用壽命,可靠度大受保證。客戶一方面可透過CoolSiC達到最嚴格的效率目標,另一方面則能降低操作系統的成本。產品組合中包括CoolSiC肖特基二極體、CoolSiC混合式模組、CoolSiC MOSFET模組和獨立式裝置,以及用於驅動碳化矽裝置的EiceDRIVER™閘極驅動器IC。

分離式半導體的類型

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結果: 68
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼

Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES 160庫存量
480預期7/1/2027
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 63庫存量
6,240在途量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 24庫存量
1,680在途量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES 15庫存量
5,000預期8/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES 768庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES 423庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 71庫存量
1,680預期1/9/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 447庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE
2,400在途量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE
1,885在途量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE
2,500在途量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 1庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE
1,200預期1/4/2027
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 肖特基二極體及整流器 CoolSiC Schottky diode 2000 V, 10 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
234預期27/8/2026
最少: 1
倍數: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
3,323在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,700

SiC Schottky Diodes SMD/SMT HDSOP-10
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4