碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體

英飛凌碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體為能滿足更智慧節能的發電、電力輸送及用電需求的產品組合。CoolSiC產品組合能滿足客戶需求,幫助其縮小系統尺寸,降低中至高功率系統的成本,同時滿足最高的品質標準,延長系統使用壽命,可靠度大受保證。客戶一方面可透過CoolSiC達到最嚴格的效率目標,另一方面則能降低操作系統的成本。產品組合中包括CoolSiC肖特基二極體、CoolSiC混合式模組、CoolSiC MOSFET模組和獨立式裝置,以及用於驅動碳化矽裝置的EiceDRIVER™閘極驅動器IC。

分離式半導體的類型

變更類別視圖
結果: 69
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES 646庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 1,018庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 64庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 441庫存量
1,000預期23/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE 962庫存量
10,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE 28庫存量
2,500預期5/3/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE 229庫存量
240預期26/2/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE 305庫存量
240預期23/2/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 肖特基二極體及整流器 CoolSiC Schottky diode 2000 V, 10 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package 5庫存量
最少: 1
倍數: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 300庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 251庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
4,978在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,700

SiC Schottky Diodes SMD/SMT HDSOP-10
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE
997預期2/4/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 1庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE
480預期11/6/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
480預期16/6/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE
954預期12/11/2026
最少: 1
倍數: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DISCRETE 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT