600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFET, PDFN88
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 6,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 110 mOhms 30 V 6 V 56 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 6,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Si SMD/SMT PDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 160 mOhms 30 V 6 V 42 nC - 55 C + 150 C 173 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 20A, Single N-Channel High Voltage MOSFET, PDFN88
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 6,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms 30 V 6 V 36 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 600V, 16A, Single N-Channel High Voltage MOSFET, PDFN88
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 6,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Si SMD/SMT PDFN88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 285 mOhms 30 V 6 V 24 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement Reel