TSM60NE110CE RVG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE110CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE110CERVG
Price: 24.66 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

821-TSM60NE110CERVG

製造商編號：

TSM60NE110CE RVG

製造商：

Taiwan Semiconductor

說明：

MOSFET 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage MOSFET, PDFN88

壽命週期:

新產品:

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規格書:

TSM60NE110CE RVG 規格書

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Taiwan Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PDFN88-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	27 A
Rds On - 漏-源電阻:	110 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	6 V
Qg - 閘極充電:	56 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	178 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
品牌:	Taiwan Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	19 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	72 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	57 ns
標準開啟延遲時間:	37 ns
零件號別名:	TSM60NE110CE
每件重量:	200 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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