STPSC蕭特基碳化矽二極體

STMicroelectronics蕭特基碳化矽二極體運用SiC優於標準矽的優異物理特性,提供高出4倍的動態特性與減少15%的順向電壓 (VF)。ST的碳化矽二極體擁有低反向恢復特性,因此成為SMPS應用和其他新興領域的關鍵節能因素,而這些領域包括太陽能轉換、EV或HEV充電站,以及焊接設備和空調等應用。STMicroelectronics SiC產品組合在原有的4至12安培穿孔和SMD封裝產品選項中,加入了20A、600V二極體,採用不含鹵素的TO-247封裝。另外亦提供第二代6A、1200V裝置及650V系列。

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 配置 If - 順向電流 Vrrm - 重複反向電壓 Vf - 順向電壓 Ifsm - 順向浪湧電流 Ir - 反向電流 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
STMicroelectronics 碳化矽肖特基二極管 Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode 752庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-3 Dual 10 A 650 V 1.56 V 470 A 425 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics 碳化矽肖特基二極管 Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod 632庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-3 Dual 6 A 650 V 1.56 V 400 A 250 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube
STMicroelectronics 碳化矽肖特基二極管 Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
2,000預期27/4/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-3 Dual 8 A 650 V 1.56 V 420 A 335 uA - 40 C + 175 C STPSC Tube