Name: STMicroelectronics STPSC10TH13TI
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC10TH13TI
Price: 46.36 HKD
Availability: InStock

說明：

碳化矽肖特基二極管 Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$46.36	HK$46.36
	HK$20.71	HK$207.10
	HK$20.63	HK$20,630.00
5,000	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
配置:	Dual
If - 順向電流:	10 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.56 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	470 A
Ir - 反向電流:	425 uA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STPSC
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Diodes & Rectifiers
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

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規格書

STPSC10TH13TI 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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