SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
規格書
1,000預期8/6/2026
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement