SGT190R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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規格書:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
11.5 A
190 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 4 ns
封裝: Reel
產品: FET
產品類型: GaN FETs
上升時間: 4 ns
系列: SGT
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
類型: PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間: 1.7 ns
標準開啟延遲時間: 1.4 ns
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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