碳化矽(SiC)肖特基能障二極體

Microsemi / Microchip碳化矽肖特基能障二極體具有出色的動態性能及熱性能,優於傳統的矽功率二極體。與純矽裝置相比,碳化矽裝置具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙及更高的熱導率。碳化矽肖特基二極體具有零正向及反向恢復電荷,可減少二極體的開關損耗。這些裝置還設有溫度獨立開關,可確保穩定的高溫性能。

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 配置 If - 順向電流 Vrrm - 重複反向電壓 Vf - 順向電壓 Ifsm - 順向浪湧電流 Ir - 反向電流 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 158庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 30 A SiC SBD 835庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 69 A 1.2 kV 1.5 V 280 A 9 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 23庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD 132庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 43庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 700 V 30 A TO-247 225庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 50 A SiC SBD 144庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 700 V 1.5 V 124 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube