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CSD23202W10T

Name: Texas Instruments CSD23202W10T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10T
Price: 12.74 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD23202W10T

製造商編號：

CSD23202W10T

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595-CSD23202W10

規格書:

CSD23202W10T 規格書

ECAD模型:

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HK$-.--

總價:

HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個250）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$12.74	HK$12.74
	HK$8.13	HK$81.30
	HK$3.82	HK$382.00
完整捲（訂購多個250）
	HK$3.82	HK$955.00
	HK$3.44	HK$1,720.00
	HK$3.10	HK$3,100.00
	HK$3.09	HK$7,725.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD23202W10

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$5.10

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD23202W10

說明：

MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DSBGA-4
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	12 V
Id - C連續漏極電流:	2.2 A
Rds On - 漏-源電阻:	92 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, 6 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	600 mV
Qg - 閘極充電:	2.9 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	21 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
系列:	CSD23202W10
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	58 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns
每件重量:	1 mg

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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.