CSD23202W10

Name: Texas Instruments CSD23202W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10
Price: 5.1 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-CSD23202W10

製造商編號：

CSD23202W10

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

規格書:

CSD23202W10 規格書

ECAD模型:

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$5.10	HK$5.10
	HK$3.17	HK$31.70
	HK$2.03	HK$203.00
	HK$1.54	HK$770.00
	HK$1.36	HK$1,360.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.17	HK$3,510.00
	HK$1.06	HK$6,360.00
	HK$0.912	HK$8,208.00
	HK$0.88	HK$21,120.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD23202W10T

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$12.74

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD23202W10T

說明：

MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595-CSD23202W10

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DSBGA-4
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	12 V
Id - C連續漏極電流:	2.2 A
Rds On - 漏-源電阻:	92 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, 6 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	900 mV
Qg - 閘極充電:	3.8 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	21 ns
互導 - 最小值:	5.6 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
系列:	CSD23202W10
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	58 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns
每件重量:	200 mg

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所選屬性: 0

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。