STB18NM60ND

Name: STMicroelectronics STB18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NM60ND
Price: 22.69 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STB18NM60ND

製造商編號：

STB18NM60ND

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II

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規格書:

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製造商：

STMicroelectronics

製造商編號：

STB24N60DM2

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	13 A
Rds On - 漏-源電阻:	290 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	34 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
封裝:	Reel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	18 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	15.5 ns
系列:	STB18NM60ND
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	13 ns
標準開啟延遲時間:	55 ns
每件重量:	4 g

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所選屬性: 0

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規格書

STB18NM60ND 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.