SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics
511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

ECAD模型:
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總價:
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數量 單價
總價
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HK$167.11 HK$16,711.00
HK$144.34 HK$86,604.00

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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
119 A
24 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
565 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 16 ns
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 38 ns
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 58 ns
標準開啟延遲時間: 26 ns
每件重量: 6.080 g
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99