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IXFN80N60P3

Name: IXYS IXFN80N60P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N60P3
Price: 295.26 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

747-IXFN80N60P3

製造商編號：

IXFN80N60P3

製造商：

IXYS

說明：

MOSFET模組 Polar3 HiPerFET Power MOSFET

規格書:

IXFN80N60P3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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HK$-.--

總價:

HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$295.26	HK$295.26
	HK$218.90	HK$2,189.00
	HK$194.57	HK$19,457.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	66 A
Rds On - 漏-源電阻:	70 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, + 30 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	960 W
系列:	IXFN80N60
封裝:	Tube
品牌:	IXYS
配置:	Single
產品類型:	MOSFET Modules
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	HiPerFET
類型:	HiperFET
每件重量:	30 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXFN80N60P3 規格書

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.