IXFN38N100P

Name: IXYS IXFN38N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN38N100P
Price: 448.24 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

747-IXFN38N100P

製造商編號：

IXFN38N100P

製造商：

IXYS

說明：

MOSFET模組 38 Amps 1000V

規格書:

IXFN38N100P 規格書

ECAD模型:

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數量	單價	總價
	HK$448.24	HK$448.24
	HK$365.13	HK$3,651.30
	HK$325.51	HK$32,551.00
500	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1 kV
Id - C連續漏極電流:	38 A
Rds On - 漏-源電阻:	210 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, + 30 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1 kW
系列:	IXFN38N100
封裝:	Tube
品牌:	IXYS
配置:	Single
下降時間:	40 ns
高度:	9.6 mm
長度:	38.23 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	55 ns
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	HiPerFET
類型:	HiperFET
標準斷開延遲時間:	71 ns
標準開啟延遲時間:	74 ns
寬度:	25.42 mm
每件重量:	30 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXFN38N100P 規格書

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.