IXFN360N10T

IXYS
747-IXFN360N10T
IXFN360N10T

製造商：

說明：
MOSFET模組 360 Amps 100V

規格書:
ECAD模型:
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預期4/8/2026
940
320
預期1/9/2026
620
預期7/9/2026
工廠前置作業時間：
23
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$234.76 HK$234.76
HK$171.63 HK$1,716.30
HK$145.91 HK$14,591.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
100 V
360 A
2.6 mOhms
- 20 V, + 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 175 C
830 W
IXFN360N10
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: KR
下降時間: 160 ns
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 100 ns
原廠包裝數量: 10
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: HiPerFET
類型: Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 80 ns
標準開啟延遲時間: 47 ns
每件重量: 30 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8504901900
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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