IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 377.46 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

747-IXFN210N30P3

製造商編號：

IXFN210N30P3

製造商：

IXYS

說明：

MOSFET模組 N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

規格書:

IXFN210N30P3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於IXYS IXFN210N30P3的資訊

庫存量: 680

庫存：: 680 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 26 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$377.46	HK$377.46
	HK$283.92	HK$2,839.20
	HK$274.14	HK$27,414.00
500	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	300 V
Id - C連續漏極電流:	192 A
Rds On - 漏-源電阻:	14.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.5 kW
系列:	IXFN210N30
封裝:	Tube
品牌:	IXYS
配置:	Single
下降時間:	13 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	25 ns
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	HiPerFET
類型:	HiperFET
標準斷開延遲時間:	94 ns
標準開啟延遲時間:	46 ns
每件重量:	30 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXFN210N30P3 規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.