IXFN160N30T

IXYS
747-IXFN160N30T
IXFN160N30T

製造商：

說明：
MOSFET模組 TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 14

庫存：
14
可立即送貨
在途量:
300
預期18/8/2026
工廠前置作業時間：
23
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$260.66 HK$260.66
HK$191.77 HK$1,917.70
HK$166.46 HK$16,646.00
HK$166.37 HK$83,185.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
300 V
130 A
19 mOhms
- 20 V, + 20 V
5 V
- 55 C
+ 150 C
900 W
IXFN160N30
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 25 ns
高度: 12.22 mm
長度: 38.23 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 38 ns
原廠包裝數量: 10
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: HiPerFET
類型: GigaMOS Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 105 ns
標準開啟延遲時間: 37 ns
寬度: 25.42 mm
每件重量: 30 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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