8 bit DRAM

結果: 352
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3,380
倍數： 3,380

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 15 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tape & Reel
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Commercial Temp - Tape & Reel
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C64M8D2 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Industrial Temp - Tape & Reel
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M8D2 Reel
Alliance Memory DRAM 512Mb 64Mx8 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M8SC Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 108
倍數： 108

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM 512Mb (64Mx8), 3.3V, 54p TSOP II, 133MHz, Commercial Temp, Rev.D, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500
SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,200
倍數： 2,200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,200
倍數： 2,200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,200
倍數： 2,200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,200
倍數： 2,200

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,420
倍數： 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,420
倍數： 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,420
倍數： 2,420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,420
倍數： 2,420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray