8 bit DRAM

結果: 352
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
121預期20/8/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
1,014在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp Rev.D Tray
規格書
210預期6/8/2026
最少： 1
倍數： 1
SDRAM - DDR4 8 Gb 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
581預期2/9/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
規格書
1,512在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
112在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
126在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
241預期4/8/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
484預期4/2/2027
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
960預期16/10/2026
最少： 1
倍數： 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
841在途量
最少： 1
倍數： 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
規格書
2,664工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
規格書
242預期12/10/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 667 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560C Reel
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 220
倍數： 220

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
規格書
N/A
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel