2 Gbit 記憶體 IC

結果: 341
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI NOR快閃記憶體 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, new die 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit DTR/Quad SPI, QPI, SPI
ISSI NAND快閃 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 2 Gbit Parallel
ISSI NAND快閃 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 2 Gbit Parallel
ISSI NAND快閃 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI NAND快閃 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 480
倍數: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 242
倍數: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 480
倍數: 480

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 480
倍數: 480

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 128M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 2133MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM 2G 1.8V 128Mx16 400MHz DDR2 A-Temp 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, AUTO TEMP - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 256M x 8, 1.8v, 60-ball BGA, 400MHz, (A-die) Commercial Temp - Tray 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, COMMERCIAL temp - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit