S29GL01GT/512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory offers a page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as quick as 100ns. These devices feature a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This feature results in faster effective programming time than standard programming algorithms. The Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT is ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.

結果: 167
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
系列
存儲容量
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
有源讀取電流 - 最大
接口類型
組織
數據匯流排寬度
計時類型
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 182
倍數： 182

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,800
倍數： 1,800

SMD/SMT BGA-64 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

SMD/SMT FBGA-64 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Ser NOR快閃記憶體 Memory 20
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,800
倍數： 1,800

SMD/SMT LAA-64 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Ser NOR快閃記憶體 Memory 20
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600

SMD/SMT LAA-64 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,800
倍數： 1,800
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 360
倍數： 360
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,800
倍數： 1,800
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,800
倍數： 1,800
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,600
倍數： 1,600
: 1,600
否
SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S29GL512T10DHA020
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL512T11DHIV20
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11DHV010
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11DHV020
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T12DHN010
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T12DHN013
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T12DHN020
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,600
倍數： 2,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray