S29GL01GT/512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory

Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash Memory offers a page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as quick as 100ns. These devices feature a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This feature results in faster effective programming time than standard programming algorithms. The Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT is ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.

結果: 167
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
系列
存儲容量
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
有源讀取電流 - 最大
接口類型
組織
數據匯流排寬度
計時類型
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,300
倍數： 1,300

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,300
倍數： 1,300

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 125 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 IC 1 Gb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,300
倍數： 1,300

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 IC 1 Gb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 NOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous 0 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 PNOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1
: 1,600

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 Nor
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 910
倍數： 910

SMD/SMT TSOP-56 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 IC 1 Gb FLASHMEM
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 IC 1 Gb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,300
倍數： 1,300

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 IC 1 Gb FLASH MEMORY
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 NOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 2,200
倍數： 2,200
: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 NOR
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT FBGA-64 S29GL01GT 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 128 M x 8/64 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray