IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices

ISSI IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The ISSI IS29GL256 devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.

結果: 12
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
系列
存儲容量
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
有源讀取電流 - 最大
接口類型
組織
數據匯流排寬度
計時類型
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected
規格書
282庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Highest Sector Protected
規格書
1,543庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected
規格書
144庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, Lowest Sector Protected
規格書
100庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR快閃記憶體 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
規格書
2,495預期18/1/2027
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NOR快閃記憶體 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
規格書
245預期18/2/2027
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR快閃記憶體 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
規格書
247預期9/2/2027
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 64 Ball BGA11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 3 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C
ISSI NOR快閃記憶體 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-64 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
ISSI NOR快閃記憶體 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 800
倍數： 800
: 800

SMD/SMT TSOP-56 IS29GL256 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 45 mA Parallel 32 M x 8/16 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel