32 bit Tray 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 125
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
規格書
3,330預期11/8/2026
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
3,840在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 143 MHz, Commercial Temp - Tray
規格書
1,347在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
規格書
540在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
190在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
239預期12/7/2027
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
規格書
124預期21/10/2026
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 4 Gbit
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
規格書
348預期26/8/2026
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
規格書
24在途量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 120
倍數： 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 120
倍數： 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 260
倍數： 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 210
倍數： 210

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
暫無庫存
最少： 2,500
倍數： 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 240
倍數： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit